Plazma Fókuszált Ionsugaras Pásztázó Elektron Mikroszkópos vizsgálat

Plazma Fókuszált Ionsugaras Pásztázó Elektron Mikroszkópos vizsgálat

Berendezés: Thermo Scientific Helios G4 PFIB CXe DualBeam plazma fókuszált ionsugaras pásztázó elektron mikroszkóp

A Thermo Scientific Helios G4 PFIB CXe DualBeam plazma fókuszált ionsugaras pásztázó elektron mikroszkóp (PFIB-SEM) kivételes lehetőségeket kínál a mikro- és nanoméretű anyagok részletes vizsgálatára és megmunkálására. Az LA-PFIB technológia révén a konvencionális pásztázó elektronmikroszkópia továbbfejleszthető háromdimenziós (3D) információk nyerésére, lehetővé téve a mikro- és nanoméretű anyagmegmunkálást.

  • Fő jellemzők:
    • Kiváló minőségű keresztmetszeti és mikromegmunkálás akár 2,5 μA-es plazmával.
    • Automatikus szeletelő funkció a felszín alatti 3D-s információkhoz.
    • TEM-es lamella preparálás és magas felbontású vizsgálat a saját transzmissziós detektorral.
    • Mikroszerkezeti tulajdonságok vizuális megjelenítése.
    • Mikroszondás elemzések (pont-, vonalmenti- és átlagelemzés, elemtérképezés).
    • Visszaszórt elektron diffrakcióval támogatott szemcseszerkezeti jellemzés.

A Helios G4 PFIB CXe DualBeam a legkorszerűbb technológiával segíti a mikro- és nanoskálán végzett kutatásokat, valamint lehetőséget nyújt a komplex anyagvizsgálatokra és mintaelőkészítésekre.

Oszd meg ismerőseiddel


További laboratóriumi vizsgálatok